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SQ3456BEV
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
I D = 6 A
100
1.7
1.4
V GS = 10 V
10
1
T J = 150 ° C
V GS = 4.5 V
1.1
0.8
0.5
0.1
0.01
0.001
T J = 25 ° C
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.25
0.20
0.15
0.10
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
0.05
T J = 150 ° C
- 0.7
I D = 250 μA
T J = 25 ° C
0.00
- 1.0
0
2
4
6
8
10
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
40
I D = 1 mA
38
36
34
32
30
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S12-1848-Rev. B, 30-Jul-12
4
Document Number: 67934
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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